檢索結果:共6筆資料 檢索策略: "銦".ckeyword (精準) and cadvisor.raw="葉秉慧"
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本研究中,我們在n-GaN/Sapphire基材上以自組裝的有機金屬化學氣相沈積(Metal Organic Chemical Vapor Deposition, MOCVD)系統成長氮化鎵(GaN…
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InxGa1-xN系統之能隙可以由3.42eV (GaN)調變至0.7eV (InN),其能隙幾乎涵蓋了地球表面上收到的太陽光的頻譜,所以選擇氮化鎵系統半導體材料進行太陽電池之研究。 本論文主要將以…
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本論文使用InGaN/GaN多重量子井主動層結構磊晶在圖案化藍寶石基板的晶圓,以表面結構化處理的技術研製p-i-n光偵測器,我們製作兩種不同材料的表面結構處理,分別為:(1)ITO表面粗糙化;以及(…
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在發光二極體(Light emitting diode, LED)中,串聯電阻造成額外的能量損耗並產生熱,為降低串聯電阻值,本論文先建立LED元件電路模型,依據電流擴散路徑,分析總串聯電阻分別為何處…
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改善氮化鎵發光二極體(GaN Light-Emitting Diode)的電流分佈,來得到高發光效率的元件一直是近來年研究的重要議題之一,在使用藍寶石基板(Sapphire)作為發光二極體元件的基板…
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近年來氮化鎵材料已成為製作藍光發光二極體的主流且快速的發展。另一方面,自從氮化銦能隙更正後,發現以能隙為紫外光波長的氮化鎵(3.4eV)與紅外光波長的氮化銦(0.7eV)組成的氮化銦鎵,能組合成幾乎…